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动态扭矩传感器的分类及功能 目前，动态扭矩传感器已成为汽车EPS系统中的关键部件之一。它也是一种测量各种扭矩、转速及机械功率的精密测量仪器，它的应用范围很广泛。那 么常用的动态扭矩传感器主要有以下形式：**是电感式扭矩传感器：该种类型的传感器主要是采用了一种非接触的测量方式，这种扭矩传感器的寿命较长，**性 高，不易受到磨损。其次是电位计式扭矩传感器：该种类型传感器按照类型可以分为齿轮式，扭杆式，旋臂式。 而其中扭杆式测量结构简单、**性能相对比较高，在早期应用比较多。该类型的传感器都属于接触式，存在磨损，降低了其性能。还有一种就是金属电 阻应变片式：该种类型扭矩传感器主要是在弹性轴上粘贴应变片组成测量电桥，而当弹性轴受扭矩作用时，它会产生一种微小变形后而引起电桥电阻变化，而应变电 桥电阻的变化转变为电压信号的变化从而实现我们想要的扭矩测量。但是，该种类型扭矩传感器受应变片材料及稳压电源精度影响较大。 因此，当我们选择动态扭矩传感器的时候，需要按照不同的形式，选择自己适合的产品。动态扭矩传感器和静态扭矩传感器对比看出，它的特点是信号输 出可任意选择波形─方波或脉冲波，检测精度高、稳定性好、抗干扰性强，不需反复调零即可；连续测量正反扭矩。即可测量静止扭矩，也可测量动态扭矩。 体积小、传感器可脱离二次仪表独立使用，只要按插座针号提供 +15V，-15V（200mA）的电源，即可输出阻抗与扭矩成正比的等方波或脉冲波频率信号，量轻、易于安装。测量范围： 0—10000Nm标准可选， 非标准2万Nm、3万Nm、5万Nm、8万Nm、10万Nm、15万Nm、20万Nm、50万Nm、100万Nm、200万Nm可定制，特殊量程定制，这一点也是静态扭矩传感器和动态扭矩传感器比较大的区别。 半导体传感器的发展可以分为四个期间
现代压力传感器以半导体传感器的发明为象征，而半导体传感器的发展可以分为四个期间：   
（1） 发明期间（1945 - 1960 年）：这个期间首要是以1947 年双极性晶体管的发明为象征。此后，半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯（C.S. Smith） 与1945 发现了硅与锗的压阻效应，即当有外力作用于半导体材料时，其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力信号转化为电信号进行测量。此期间较小尺寸大约为1cm。   
（2） 技术发展期间（1960 - 1970 年） ：随着硅分散技术的发展，技术人员在硅的（001） 或（110） 晶面选择合适的晶向直接把应变电阻分散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成较薄的硅弹性膜片，称为硅杯。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点，实现了金属- 硅共晶体，为商业化发展提供了可能。   
（3） 商业化集成加工期间（1970 - 1980 年） ：在硅杯分散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术，分散硅传感器其加工技术以硅的各项异性腐蚀技术为主，发展变成可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术，首要有V 形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。因为可以在多个表面同时进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成本进一步降低。  
（4） 微机械加工期间（1980 年-） ：上世纪末出现的纳米技术，使得微机械加工技术变成可能。通过微机械加工技术可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器，其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜，使得压力传感器进入了微米期间。
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